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SI4896DY-T1-E3 transistor MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC des circuits intégrés IC
Détails sur le produit:
| Numéro de modèle: | SI4896DY-T1-E3 |
Conditions de paiement et expédition:
| Détails d'emballage: | Bande et bobine (TR) |
|---|---|
| Délai de livraison: | 1-2 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | D/A, T/T, Western Union |
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Détail Infomation |
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| Tension drain à source (Vdss): | 80V | Dissipation de puissance (maximale): | 1.56W (Ta) |
|---|---|---|---|
| Paquet/cas: | 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) | Montage du type: | Bâti extérieur |
| Emballage: | Bande et bobine (TR) | Ensemble d'appareils du fournisseur: | 8-SO |
Description de produit
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| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : | 2V @ 250µA (minute) |
|---|---|
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : | 6V, 10V |
| Statut sans plomb/statut de RoHS : | Sans plomb/RoHS conforme |
| Description détaillée : | Bâti 1.56W (merci) extérieur du N-canal 80V 6.7A (ventres) 8-SO |
| Caractéristique de FET : | - |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : | 1 (illimité) |
| Type de FET : | N-canal |
| Série : | TrenchFET® |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : | 6.7A (ventres) |
| D'autres noms : | SI4896DY-T1-E3TR SI4896DYT1E3 |
| Vgs (maximum) : | ±20V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : | mOhm 16,5 @ 10A, 10V |
| Technologie : | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : | 41nC @ 10V |
| Température de fonctionnement : | -55°C | 150°C (TJ) |
Problème commun
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