• SI7370DP-T1-E3 transistor MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 des circuits intégrés IC
SI7370DP-T1-E3 transistor MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 des circuits intégrés IC

SI7370DP-T1-E3 transistor MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 des circuits intégrés IC

Détails sur le produit:

Numéro de modèle: SI7370DP-T1-E3

Conditions de paiement et expédition:

Détails d'emballage: Bande et bobine (TR)
Délai de livraison: 1-2 jours ouvrables
Conditions de paiement: D/A, T/T, Western Union
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Détail Infomation

Tension drain à source (Vdss): 60V Dissipation de puissance (maximale): 1.9W (Ta)
Paquet/cas: PowerPAK® SO-8 Montage du type: Bâti extérieur
Emballage: Bande et bobine (TR) Ensemble d'appareils du fournisseur: PowerPAK® SO-8

Description de produit

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Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Statut sans plomb/statut de RoHS : Sans plomb/RoHS conforme
Description détaillée : Bâti 1.9W (merci) extérieur du N-canal 60V 9.6A (ventres) PowerPAK® SO-8
Caractéristique de FET : -
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : 1 (illimité)
Type de FET : N-canal
Série : TrenchFET®
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : 9.6A (ventres)
D'autres noms : SI7370DP-T1-E3TR SI7370DPT1E3
Vgs (maximum) : ±20V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 10V
Technologie : Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : 57nC @ 10V
Température de fonctionnement : -55°C | 150°C (TJ)

Problème commun

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