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SQJA20EP-T1_GE3 transistor MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L des circuits intégrés IC
Détails sur le produit:
| Numéro de modèle: | SQJA20EP-T1_GE3 |
Conditions de paiement et expédition:
| Détails d'emballage: | Bande et bobine (TR) |
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| Délai de livraison: | 1-2 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | D/A, T/T, Western Union |
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Détail Infomation |
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| Tension drain à source (Vdss): | 200V | Dissipation de puissance (maximale): | 68W (TC) |
|---|---|---|---|
| Paquet/cas: | PowerPAK® SO-8 | Montage du type: | Bâti extérieur |
| Emballage: | Bande et bobine (TR) | Ensemble d'appareils du fournisseur: | PowerPAK® SO-8 |
Description de produit
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| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : | 7.5V, 10V |
| Statut sans plomb/statut de RoHS : | Sans plomb/RoHS conforme |
| Description détaillée : | Bâti PowerPAK® SO-8 de la surface 68W (comité technique) du N-canal 200V 22.5A (comité technique) |
| Caractéristique de FET : | - |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : | 1 (illimité) |
| Type de FET : | N-canal |
| Série : | Des véhicules à moteur, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : | 22.5A (comité technique) |
| D'autres noms : | SQJA20EP-T1_GE3TR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : | 1300pF @ 25V |
| Vgs (maximum) : | ±20V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : | 50 mOhm @ 10A, 10V |
| Technologie : | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : | 27nC @ 10V |
| Température de fonctionnement : | -55°C | 175°C (TJ) |
Problème commun
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