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STB28N65M2 Transistor MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK des circuits intégrés IC
Détails sur le produit:
| Numéro de modèle: | STB28N65M2 |
Conditions de paiement et expédition:
| Détails d'emballage: | Bande et bobine (TR) |
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| Délai de livraison: | 1-2 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | D/A, T/T, Western Union |
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Détail Infomation |
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| Tension drain à source (Vdss): | 650V | Dissipation de puissance (maximale): | 170W (comité technique) |
|---|---|---|---|
| Paquet/cas: | TO-263-3, D²Pak (2 fils + languette), TO-263AB | Montage du type: | Bâti extérieur |
| Emballage: | Bande coupée (CT) | Ensemble d'appareils du fournisseur: | D2PAK |
Description de produit
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| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : | 10V |
| Statut sans plomb/statut de RoHS : | Sans plomb/RoHS conforme |
| Description détaillée : | Bâti D2PAK de la surface 170W (comité technique) du N-canal 650V 20A (comité technique) |
| Caractéristique de FET : | - |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : | 1 (illimité) |
| Fabricant Standard Lead Time : | 42 semaines |
| Type de FET : | N-canal |
| Série : | MDmesh™ m2 |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : | 20A (comité technique) |
| D'autres noms : | 497-15456-1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : | 1440pF @ 100V |
| Vgs (maximum) : | ±25V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : | 180 mOhm @ 10A, 10V |
| Technologie : | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : | 35nC @ 10V |
| Température de fonctionnement : | 150°C (TJ) |
Problème commun
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