• STD4NK60ZT4 transistor MOSFET N-CH 600V 4A DPAK des circuits intégrés IC
STD4NK60ZT4 transistor MOSFET N-CH 600V 4A DPAK des circuits intégrés IC

STD4NK60ZT4 transistor MOSFET N-CH 600V 4A DPAK des circuits intégrés IC

Détails sur le produit:

Numéro de modèle: STD4NK60ZT4

Conditions de paiement et expédition:

Détails d'emballage: Bande et bobine (TR)
Délai de livraison: 1-2 jours ouvrables
Conditions de paiement: D/A, T/T, Western Union
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Détail Infomation

Tension drain à source (Vdss): 600V Dissipation de puissance (maximale): 70W (TC)
Paquet/cas: TO-252-3, DPak (2 fils + languette), SC-63 Montage du type: Bâti extérieur
Emballage: Bande et bobine (TR) Ensemble d'appareils du fournisseur: DPAK

Description de produit

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Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : 4.5V @ 50µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Statut sans plomb/statut de RoHS : Sans plomb/RoHS conforme
Description détaillée : Bâti DPAK de la surface 70W (comité technique) du N-canal 600V 4A (comité technique)
Caractéristique de FET : -
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : 1 (illimité)
Type de FET : N-canal
Série : SuperMESH™
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : 4A (comité technique)
D'autres noms : 497-5889-2 Q2161615 STD4NK60ZT4-ND
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : 510pF @ 25V
Vgs (maximum) : ±30V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : 2 ohms @ 2A, 10V
Technologie : Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : 26nC @ 10V
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Problème commun

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