• Transistor MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 de Crystal Oscillator de circuit de FDN337N
Transistor MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 de Crystal Oscillator de circuit de FDN337N

Transistor MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 de Crystal Oscillator de circuit de FDN337N

Détails sur le produit:

Numéro de modèle: FDN337N

Conditions de paiement et expédition:

Détails d'emballage: Bande et bobine (TR)
Délai de livraison: 1-2 jours ouvrables
Conditions de paiement: D/A, T/T, Western Union
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Détail Infomation

Tension drain à source (Vdss): 30v Dissipation de puissance (maximale): 500mW (ventres)
Paquet/cas: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Montage du type: Bâti extérieur
Emballage: Bande et bobine (TR) Ensemble d'appareils du fournisseur: SuperSOT-3

Description de produit

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Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : 1V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Statut sans plomb/statut de RoHS : Sans plomb/RoHS conforme
Description détaillée : Bâti 500mW (merci) extérieur du N-canal 30V 2.2A (ventres) SuperSOT-3
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : 1 (illimité)
Type de FET : N-canal
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : 2.2A (ventres)
D'autres noms : FDN337NTR
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : 300pF @ 10V
Vgs (maximum) : ±8V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : 65 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Technologie : Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
Température de fonctionnement : -55°C | 150°C (TJ)

Problème commun

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