• Pièces de carte du transistor MOSFET N-CH 100V 100A 8SON de Crystal Oscillator de circuit de CSD19532Q5B
Pièces de carte du transistor MOSFET N-CH 100V 100A 8SON de Crystal Oscillator de circuit de CSD19532Q5B

Pièces de carte du transistor MOSFET N-CH 100V 100A 8SON de Crystal Oscillator de circuit de CSD19532Q5B

Détails sur le produit:

Numéro de modèle: CSD19532Q5B

Conditions de paiement et expédition:

Détails d'emballage: Bande et bobine (TR)
Délai de livraison: 1-2 jours de travail
Conditions de paiement: D/A, T/T, Western Union
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Détail Infomation

Vidangez à la tension de source (Vdss): 100V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Paquet/cas: 8-PowerTDFN Montage du type: Bâti extérieur
Emballage: Bande et bobine (TR) Paquet de dispositif de fournisseur: 8-VSON-CLIP (5x6)

Description de produit

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Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : 3.2V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Statut sans plomb/statut de RoHS : Contient l'avance/RoHS conformes
Description détaillée : N-canal 100V 100A (ventres) 3.1W (merci), 195W (comité technique) bâti 8-VSON-CLIP (5x6) de la surface
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : 1 (illimité)
Fabricant Standard Lead Time : 35 semaines
Type de FET : N-canal
Série : NexFET™
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : 100A (ventres)
D'autres noms : 296-37478-2 CSD19532Q5B-ND
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : 4810pF @ 50V
Vgs (maximum) : ±20V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : 4,9 mOhm @ 17A, 10V
Technologie : Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : 62nC @ 10V
Température de fonctionnement : -55°C | 150°C (TJ)

 

Points culminants chauds d'offres

 

Modèle de produit Marque
XC6VLX550T- 1FFG1759I XILINX
XCKU115-2FLVA2104I XILINX
XC7A200T-2FFG676I XILINX
XCZU17EG-2FFVC1760E XILINX
EP2C35F672I8N ALTERA
5CEBA2F23C8N ALTERA
XC7Z035-2FFG676E XILINX
XC5VLX50-1FFG324I XILINX
XC6VSX475T-1FFG1156I XILINX
XCKU060-1FFVA1517C XILINX

 

Problème commun

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