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Composants du transistor MOSFET N-CH 25V 60A 8SON IC de Crystal Oscillator du circuit CSD16340Q3
Détails sur le produit:
| Numéro de modèle: | CSD16340Q3 |
Conditions de paiement et expédition:
| Détails d'emballage: | Bande et bobine (TR) |
|---|---|
| Délai de livraison: | 1-2 jours de travail |
| Conditions de paiement: | D/A, T/T, Western Union |
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Détail Infomation |
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| Vidangez à la tension de source (Vdss): | 25V | Dissipation de puissance (maximum): | 3W (ventres) |
|---|---|---|---|
| Paquet/cas: | 8-PowerTDFN | Montage du type: | Bâti extérieur |
| Emballage: | Coupez la bande (les CT) | Paquet de dispositif de fournisseur: | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
Description de produit
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| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : | 2.5V, 8V |
| Statut sans plomb/statut de RoHS : | Contient l'avance/RoHS conformes |
| Description détaillée : | N-canal 25V 21A (ventres), 3W (merci) bâti 60A (comité technique) extérieur 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : | 1 (illimité) |
| Fabricant Standard Lead Time : | 35 semaines |
| Type de FET : | N-canal |
| Série : | NexFET™ |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : | 21A (merci), 60A (comité technique) |
| D'autres noms : | 296-25646-1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : | 1350pF @ 12.5V |
| Vgs (maximum) : | +10V, -8V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : | 4,5 mOhm @ 20A, 8V |
| Technologie : | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : | 9.2nC @ 4.5V |
| Température de fonctionnement : | -55°C | 150°C (TJ) |
Points culminants chauds d'offres
| Modèle de produit | Marque |
| XA6SLX25T-3CSG324I | XILINX |
| XA6SLX25T-3CSG324Q | XILINX |
| XA6SLX45T-3CSG324Q | XILINX |
| XA6SLX45T-3CSG324I | XILINX |
| XA6SLX45T-2CSG324I | XILINX |
| XA7S6-1CSGA225Q | XILINX |
| XC7S6-L1CPGA196I | XILINX |
| XA7S6-1CPGA196Q | XILINX |
| XA7S6-1CPGA196I | XILINX |
| XC7S6-1CPGA196Q | XILINX |
Problème commun
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