Fabrication PARALLÈLE de l'INSTANTANÉ 512M IC de S29GL512T11FAIV10 IC Chip Tool IC
Détails sur le produit:
Numéro de modèle: | S29GL512T11FAIV10 |
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: | Bande et bobine (TR) |
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Délai de livraison: | 1-2 jours de travail |
Conditions de paiement: | D/A, T/T, Western Union |
Détail Infomation |
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Temps d'accès: | 110ns | Type de mémoire: | Non-volatile |
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Statut sans plomb/statut de RoHS: | Vérification/RoHS d'inventaire de demande non-conforme | Description détaillée: | ÉCLAIR - NI mémoire IC 512Mb (64M x 8) 110ns parallèle |
Tension - approvisionnement: | 1,65 V | 3,6 V | Capacité de la mémoire: | 512Mb (64M x 8) |
Description de produit
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Interface de mémoire : | Parallèle |
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Écrivez la durée de cycle - Word, page : | 60ns |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : | 3 (168 heures) |
Série : | GL-T |
Format de mémoire : | ÉCLAIR |
Technologie : | ÉCLAIR - NI |
Température de fonctionnement : | -40°C | 85°C (VENTRES) |
Points culminants chauds d'offres
Modèle de produit | Marque |
MMBZ33VAL | NEXPERIA |
MAX96706GTJ/V+T | MAXIME |
MAX823SEUK+T | MAXIME |
MAX809SEUR+T | MAXIME |
MAX705ESA+T | MAXIME |
MAX6063AEUR+T | MAXIME |
MAX485EPA+ | MAXIME |
MAX485EESA+T | MAXIME |
MAX40200ANS+T | MAXIME |
MAX3491ESD+T | MAXIME |
Problème commun
Q : Comment pour s'enquérir/ordre S29GL512T11FAIV10 ?
: Cliquez sur svp « obtiennent le meilleur prix » et puis cliquent sur « SOUMETTENT ». Citation de demande.
Q : Est-ce qu'enquête/ordre S29GL512T11FAIV10, combien de temps je peux obtenir une réponse ?
: Après réception de l'information, nous vous contacterons par l'email dès que possible.
Q : Comment payer après l'ordre de S29GL512T11FAIV10 ?
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